HN4B01JE(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT Vceo=-50V Vceo=50V
3870 шт., срок 6-9 недель
489 ֏
1 шт.
на сумму 489 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Матрица биполярных (BJT) транзисторов NPN, PNP (эмиттерная пара) 50 В 150 мА 80 МГц 100 мВт ESV для поверхностного монтажа
Технические параметры
| Base Product Number | 2SK3762 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 10MA, 100MA |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-553 |
| Power - Max | 100mW |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Supplier Device Package | ESV |
| Transistor Type | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet HN4B01JE(TE85L,F)
pdf, 339 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
