SSM3J145TU,LF, MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A
4150 шт., срок 6-9 недель
409 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 409 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
P-Channel 20V 3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Технические параметры
| Base Product Number | HN1C01 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 1A, 4.5V |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Series | U-MOSVI -> |
| Supplier Device Package | UFM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +6V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SSM3J145TU,LF
pdf, 270 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
