2SCR502E3HZGTL, Bipolar Transistors - BJT Various products are available in lineup developed focusing on energy-saving and high reliability
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5865 шт., срок 7-9 недель
530 ֏
от 10 шт. —
414 ֏
от 100 шт. —
264 ֏
от 1000 шт. —
146 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
The ROHM NPN amplification transistor various products are available in lineup developed focusing on energy-saving and high reliability as main concepts, covering from ultra-compact packages to power-packages to meet the needs in market.
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 30В |
| Continuous Collector Current | 500мА |
| DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
| Power Dissipation | 150мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-416 |
| Частота Перехода ft | 360МГц |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
| Maximum DC Collector Current | 500 mA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | EMT3 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1709 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
