SXTA42TA, Транзистор: NPN; биполярный
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
366 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
229 ֏
от 150 шт. —
194 ֏
5 шт.
на сумму 1 830 ֏
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 300 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 300 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 500 mA |
DC Current Gain hFE Max: | 25 at 1 mA, 10 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 50 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-89-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | SXTA42 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.052 |
Техническая документация
Datasheet SXTA42TA
pdf, 517 КБ