BT168G,112, Тиристор; 600В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 200мкА; TO92; THT; Ifsm: 8А
![Фото 1/2 BT168G,112, Тиристор; 600В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 200мкА; TO92; THT; Ifsm: 8А](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735658.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517954.jpg)
30 шт. с центрального склада, срок 2 недели
196 ֏
от 10 шт. —
125 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 196 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8018779496
Бренд: WEEN SEMICONDUCTORS
Описание
Описание Тиристор; 600В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 200мкА; TO92; THT; Ifsm: 8А
Технические параметры
Brand: | WeEn Semiconductors |
Breakover Current IBO Max: | 9 A |
Current Rating: | 500 mA |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
Gate Trigger Current - Igt: | 50 uA |
Gate Trigger Voltage - Vgt: | 0.5 V |
Holding Current Ih Max: | 2 mA |
Manufacturer: | WeEn Semiconductors |
Maximum Gate Peak Inverse Voltage: | 5 V |
Maximum Operating Temperature: | +125 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Non Repetitive On-State Current: | 8 A |
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: | 50 uA |
On-State RMS Current - It RMS: | 800 mA |
Package / Case: | SOT-54-3 |
Part # Aliases: | 934042490112 |
Product Category: | SCRs |
Product Type: | SCRs |
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: | 600 V |
Subcategory: | Thyristors |
Type: | SCR |
Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet BT168G.112
pdf, 255 КБ
Datasheet BT168GW
pdf, 234 КБ
TS106-142
pdf, 141 КБ
Отечественные тиристоры и симисторы мощные
pdf, 515 КБ
Тиристоры отечественные
pdf, 384 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 17 июля1 | бесплатно |
HayPost | 21 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг