IXTH52P10P, Транзистор P-MOSFET, PolarP™, полевой, -100В, -52А, 300Вт, TO247-3
![IXTH52P10P, Транзистор P-MOSFET, PolarP™, полевой, -100В, -52А, 300Вт, TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 700 ֏
от 10 шт. —
5 200 ֏
от 30 шт. —
4 490 ֏
от 90 шт. —
3 610 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 700 ֏
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | -52A |
Drain-source voltage | -100V |
Gate charge | 60nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 50mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 300W |
Reverse recovery time | 120ns |
Technology | PolarP™ |
Type of transistor | P-MOSFET |
Вес, г | 6.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 182 КБ