P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
223 ֏
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 2 230 ֏
Посмотреть аналоги4
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 19 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 8 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 1 |
