XPN9R614MC,L1XHQ, MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17060 шт., срок 6-9 недель
1 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 600 ֏
Описание
Unclassified
Automotive DevicesToshiba Automotive Devices offer an extensive lineup of MOSFETs, optical isolation, transistors, and diodes, to cover various automotive applications in 12V to 48V battery systems. In addition, Toshiba offers automotive-grade motor control drivers. Toshiba automotive devices are AEC-Q100 and AEC-Q101 qualified.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Fall Time: | 200 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TSON-Advance-8 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Part # Aliases: | XPN9R614MC, L1XHQ(O |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.6 mOhms |
| Rise Time: | 26 ns |
| Series: | UMOS VI |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 600 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 36 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 583 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
