TJ15S06M3L,LXHQ, MOSFETs 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11935 шт., срок 7-9 недель
1 150 ֏
1 шт.
на сумму 1 150 ֏
Описание
Unclassified
Automotive U-MOSVI Power MOSFETsToshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs are -40V P-channel power MOSFETs for automotive applications. They feature a gate drive voltage of -4.5V compared with -6V for the conventional products in the DPAK+ package. This allows systems to be used even when the battery voltage drops. The MOSFETs feature low on-resistance.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Fall Time: | 62 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Part # Aliases: | TJ15S06M3L, LXHQ(O |
| Pd - Power Dissipation: | 41 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 36 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Rise Time: | 13 ns |
| Series: | U-MOSVI |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 266 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 259 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
