DMN2065UW-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
185 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
119 ֏
от 150 шт. —
102 ֏
от 500 шт. —
87 ֏
5 шт.
на сумму 925 ֏
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 140 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 700 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.4 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.35mm |
| Вес, г | 1 |
