SSM3K7002CFU,LF, MOSFET Small-Signal MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23159 шт., срок 5-8 недель
218 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 218 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
SSM3 High Current MOSFETsToshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 24 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 170 mA |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-323-3 |
Pd - Power Dissipation: | 700 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 270 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.9 Ohms |
Rise Time: | 3 ns |
Series: | SSM3K7002 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | U-MOSVII-H |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 7 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 2 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 206 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг