SSM3K7002CFU,LF, MOSFET Small-Signal MOSFET

SSM3K7002CFU,LF, MOSFET Small-Signal MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
23159 шт., срок 5-8 недель
218 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 218 ֏
Номенклатурный номер: 8019892532
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches.

Технические параметры

Brand: Toshiba
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 24 ns
Id - Continuous Drain Current: 170 mA
Manufacturer: Toshiba
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-323-3
Pd - Power Dissipation: 700 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 270 pC
Rds On - Drain-Source Resistance: 3.9 Ohms
Rise Time: 3 ns
Series: SSM3K7002
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: U-MOSVII-H
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 7 ns
Typical Turn-On Delay Time: 2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.1 V
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 206 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 августа1 бесплатно
HayPost 21 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг