N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK TK100S04N1L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4000 шт., срок 8 недель
880 ֏
Кратность заказа 2000 шт.
2000 шт.
на сумму 1 760 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers Features Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.
Технические параметры
Automotive Standard | AEC-Q101 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
Maximum Drain Source Resistance | 4.5 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 180 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 76 nC @ 10 V |
Width | 7mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг