N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK TK100S04N1L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5605 шт., срок 7 недель
2 670 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 13 350 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers Features Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.
Технические параметры
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 180 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 76 nC @ 10 V |
| Width | 7mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
