2SC4116-GR,LXHF, Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM)
![2SC4116-GR,LXHF, Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM)](https://static.chipdip.ru/lib/460/DOC027460234.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5884 шт., срок 7-9 недель
410 ֏
1 шт.
на сумму 410 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
2SA/2SC Bipolar TransistorsToshiba 2SA/2SC Bipolar Transistors are AEC-Q101 qualified and designed for low-frequency, AM, and audio frequency general purpose amplifier applications. The 2SA/2SC Transistors feature high voltage, high collector current, high hFE, and excellent hFE linearity. The Toshiba 2SA/2SC Bipolar Transistors are available in a small SSM, USM, or S-Mini package.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 150 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 70 at 2 mA, 6 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 80 MHz |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +125 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | USM-3 |
Part # Aliases: | 2SC4116-GR, LXHF(B |
Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Qualification: | AEC-Q200 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 470 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг