VND7NV04TR-E, Ключ силовой MOSFET 40В 6A DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
424 шт. с центрального склада, срок 3 недели
670 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 17 шт. —
580 ֏
от 33 шт. —
520 ֏
от 66 шт. —
480 ֏
4 шт.
на сумму 2 680 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Микросхемы / Драйверы и ключи / Силовые ключи
Ключ силовой MOSFET 40В 6A DPAK
Технические параметры
Корпус | D-Pak(TO-252) | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
Fall Time: | 350 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 9 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 6 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Moisture Sensitive: | Yes | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-252-3 | |
Pd - Power Dissipation: | 60 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 18 nC | |
Qualification: | AEC-Q101 | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms | |
Rise Time: | 470 ns | |
Series: | VND7NV04 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Type: | Low Side | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V | |
Вес, г | 0.409 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 420 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг