N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSHA14DN-T1-GE3
![N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSHA14DN-T1-GE3](https://static.chipdip.ru/lib/972/DOC025972061.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 ֏
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 21 250 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET. TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.1V |
Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 26.5 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | PowerPAK 1212-8SH |
Pin Count | 8 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
Width | 3.3mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SISHA14DN-T1-GE3
pdf, 150 КБ