SPW20N60S5FKSA1, транзистор N канал 600В 20А PG-TO247-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 700 ֏

от 2 шт. — 4 800 ֏

от 8 шт. — 4 660 ֏

от 14 шт. — 4 310 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 700 ֏

Номенклатурный номер: 8020142780

транзисторы полевые импортные

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.

Структура	N-канал
Корпус	TO-247-3
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	20 A
Maximum Drain Source Resistance	190 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	208 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3.5V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Series	CoolMOS S5
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	79 nC @ 10 V
Width	5.3mm
Вес, г	8.15