N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSHA14DN-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
294 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 882 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET. TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 26.5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SH |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
| Width | 3.3mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SISHA14DN-T1-GE3
pdf, 150 КБ
