IRFPE30PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 9 шт. —
800 ֏
от 17 шт. —
750 ֏
от 50 шт. —
730 ֏
3 шт.
на сумму 2 790 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A
Технические параметры
| Корпус | TO-247-3 | |
| Automotive | No | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant | |
| Lead Shape | Through Hole | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.1 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3000 10V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 3 | |
| Pin Count | 3 | |
| PPAP | No | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Standard Package Name | TO-247 | |
| Supplier Package | TO-247AC | |
| Tab | Tab | |
| Typical Fall Time (ns) | 30 | |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 78(Max) | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 78(Max)10V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300 25V | |
| Typical Rise Time (ns) | 33 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 82 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 | |
| Brand | Vishay Semiconductors | |
| Factory Pack Quantity | 500 | |
| Manufacturer | Vishay | |
| Packaging | Tube | |
| RoHS | Details | |
| Technology | Si | |
| Unit Weight | 1.340411 oz | |
| Вес, г | 7.212 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1562 КБ
Документация
pdf, 1551 КБ
