SI7145DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A
![Фото 1/3 SI7145DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A](https://static.chipdip.ru/lib/605/DOC044605587.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/707/DOC001707488.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC004426485.jpg)
850 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 65 шт. —
670 ֏
от 129 шт. —
630 ֏
от 257 шт. —
620 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 2 550 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A
Технические параметры
Корпус | PowerPAKВR SO-8 | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 60A(Tc) | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 104W(Tc) | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.6mО© @ 25A,10V | |
Transistor Polarity | P Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.3V @ 250uA | |
Automotive | No | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | P | |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source | |
ECCN (US) | EAR99 | |
EU RoHS | Compliant with Exemption | |
Lead Shape | No Lead | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 36.5 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2.6@10V | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 6250 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Mounting | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Packaging | Tape and Reel | |
Part Status | Active | |
PCB changed | 8 | |
Pin Count | 8 | |
PPAP | No | |
Process Technology | TrenchFET | |
Product Category | Power MOSFET | |
Supplier Package | PowerPAK SO EP | |
Typical Fall Time (ns) | 27|43 | |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 275 | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 275@10V|129@4.5V | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 15660@15V | |
Typical Rise Time (ns) | 110|13 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 130|107 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 27|125 | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 368 КБ
Datasheet SI7145DP-T1-GE3
pdf, 340 КБ