IGW30N65L5XKSA1 IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

IGW30N65L5XKSA1 IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 400 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт. на сумму 32 000 ֏
Номенклатурный номер: 8020197499

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low saturation voltage. High Efficiency

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 85 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
Maximum Power Dissipation 227 W
Package Type PG-TO247-3
Pin Count 3
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IGW30N65L5XKSA1
pdf, 1617 КБ