UJ4C075060K4S

UJ4C075060K4S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1114 шт., срок 7-9 недель
12 200 ֏
от 30 шт.8 600 ֏
от 120 шт.7 100 ֏
от 510 шт.6 300 ֏
1 шт. на сумму 12 200 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8020217581
Бренд: Qorvo Inc.

Описание

High-Performance SiC FETs

UnitedSiC / Qorvo High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Технические параметры

Brand: Qorvo
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Id - Continuous Drain Current: 28 A
Manufacturer: Qorvo
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 155 W
Product Category: JFET
Product Type: JFETs
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 74 mOhms
Series: UJ4C
Subcategory: Transistors
Technology: SiC
Tradename: SiC FET
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 750 V
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 459 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг