SQ3987EV-T1_GE3
![SQ3987EV-T1_GE3](https://static.chipdip.ru/lib/555/DOC021555805.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 250 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 070 ֏
от 10 шт. —
980 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 500 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, AEC-Q101, DUAL P-CH, -30V, -3A; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
FET Feature | Standard |
FET Type | 2 P-Channel(Dual) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 15V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Packaging | Tape & Reel(TR) |
Part Status | Active |
Power - Max | 1.67W |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 133mOhm @ 1.5A, 10V |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance N Channel | 0.085Ом |
Drain Source On State Resistance P Channel | 0.085Ом |
Power Dissipation N Channel | 1.67Вт |
Power Dissipation P Channel | 1.67Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchFET Series |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 3А |
Непрерывный Ток Стока, N Канал | 3А |
Непрерывный Ток Стока, P Канал | 3А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 1.67Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.085Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TSOP |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet SQ3987EV-T1_GE3
pdf, 141 КБ
Документация
pdf, 221 КБ