2DA1213Y-13, SOT-89 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

251 ֏

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 159 ֏

от 150 шт. — 137 ֏

от 500 шт. — 117 ֏

5 шт. на сумму 1 255 ֏

Номенклатурный номер: 8020267147

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT 1W -50V

Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.5 mm
Длина	4.5 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	120 at 500 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	160 MHz
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	2DA12
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.5 mm
Вес, г	0.23