IXFH26N50P, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 26A 400Вт 0,23Ом TO247AD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 800 ֏
от 10 шт. —
5 300 ֏
от 30 шт. —
4 490 ֏
от 90 шт. —
3 580 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 800 ֏
Описание
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
Maximum Drain Source Resistance | 230 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 400 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Polar |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Width | 5.3mm |
Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFH26N50P
pdf, 323 КБ