DXT751Q-13, 100nA 60V 1W 100@500mA,2V 3A 100MHz 600mV@3A,300mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

291 ֏

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 198 ֏

от 150 шт. — 181 ֏

от 500 шт. — 155 ֏

5 шт. на сумму 1 455 ֏

Номенклатурный номер: 8020312096

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Pd - рассеивание мощности	2 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	3 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	145 MHz
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Вес, г	0.13