DSS45160FDB-7, UDFN-6 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

530 ֏

от 10 шт. — 370 ֏

от 30 шт. — 286 ֏

от 100 шт. — 252 ֏

1 шт. на сумму 530 ֏

Номенклатурный номер: 8020312158

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transistor

Pd - рассеивание мощности	405 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	170 at - 2 V at - 100 ma at - 2 V, 290 at 100 mA a
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1.5 A, 1.5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V, 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V, 7 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A, 1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	175 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	U-DFN2020-6
Вес, г	0.04

Мы рекомендуем