DXTP3C100PSQ-13, PowerDI-8(5x6) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

660 ֏

от 10 шт. — 418 ֏

от 30 шт. — 370 ֏

от 100 шт. — 327 ֏

1 шт. на сумму 660 ֏

Номенклатурный номер: 8020312160

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor

Pd - рассеивание мощности	5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	10
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	360 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	3 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	125 MHz
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	PowerDI5060-8
Maximum Collector Emitter Voltage	-100 V
Maximum DC Collector Current	-3 A
Minimum DC Current Gain	170
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	PowerDI5060-8
Pin Count	8
Transistor Type	PNP
Вес, г	0.33