DSS5160T-7, 60V 725mW 100@1A,5V 1A PNP SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
![DSS5160T-7, 60V 725mW 100@1A,5V 1A PNP SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514323.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
234 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
137 ֏
от 150 шт. —
124 ֏
от 500 шт. —
106 ֏
5 шт.
на сумму 1 170 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transisto SOT23 T&R 3K
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 340 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DSS51 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet DSS5160T-7
pdf, 112 КБ