DXTN26070CY-13, 70V 700mW 260@1mA,5V 2A NPN SOT-89 BIpolar TransIstors - BJT
![DXTN26070CY-13, 70V 700mW 260@1mA,5V 2A NPN SOT-89 BIpolar TransIstors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/067/DOC013067805.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
339 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
212 ֏
от 150 шт. —
181 ֏
от 500 шт. —
147 ֏
5 шт.
на сумму 1 695 ֏
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 150 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 70 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 150 mV |
Configuration: | Single |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 120 |
DC Current Gain hFE Max: | 500 at 100 mA, 2 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gain Bandwidth Product fT: | 220 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 2 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-89-3 |
Pd - Power Dissipation: | 2 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | DXTN26070 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.22 |
Техническая документация
Datasheet DXTN26070CY-13
pdf, 243 КБ