DZT5551Q-13, 160V 2W 145@10mA,5V 600mA NPN SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT
![DZT5551Q-13, 160V 2W 145@10mA,5V 600mA NPN SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/285/DOC005285763.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
308 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
234 ֏
5 шт.
на сумму 1 540 ֏
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 160В |
Continuous Collector Current | 600мА |
DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
Power Dissipation | 2Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | DZT Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Частота Перехода ft | 130МГц |
Вес, г | 280 |