SIDR680DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 560 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 1 380 ֏

от 10 шт. — 1 320 ֏

от 20 шт. — 1 290 ֏

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 3 120 ֏

Номенклатурный номер: 8020330916

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В

Корпус	soic8
Brand:	Vishay Semiconductors
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	12 ns
Id - Continuous Drain Current:	100 A
Manufacturer:	Vishay
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	SOIC-8
Pd - Power Dissipation:	125 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	69.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	3.4 mOhms
Rise Time:	25 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	28 ns
Typical Turn-On Delay Time:	19 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	80 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Вес, г	0.2