CSD18540Q5B, Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 60В 100А 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке

CSD18540Q5B, Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 60В 100А 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
710 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 72 шт.580 ֏
от 144 шт.550 ֏
от 288 шт.540 ֏
3 шт. на сумму 2 130 ֏
Номенклатурный номер: 8020330921
Бренд: Texas Instruments

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 60В 100А 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке

Технические параметры

Корпус 8-VSON-FET(5x6)
Brand Texas Instruments
Configuration Single
Factory Pack Quantity 250
Fall Time 3 ns
Forward Transconductance - Min 116 S
Id - Continuous Drain Current 100 A
Manufacturer Texas Instruments
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case VSON-8
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 195 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 41 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 2.6 mOhms
Rise Time 9 ns
RoHS Details
Series CSD18540Q5B
Technology Si
Tradename NextFET
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 20 ns
Typical Turn-On Delay Time 6 ns
Unit Weight 0.000847 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.9 V
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet CSD18540Q5BT
pdf, 462 КБ