CSD18540Q5B, Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 60В 100А 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
![CSD18540Q5B, Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 60В 100А 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке](https://static.chipdip.ru/lib/219/DOC029219521.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 72 шт. —
580 ֏
от 144 шт. —
550 ֏
от 288 шт. —
540 ֏
3 шт.
на сумму 2 130 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 60В 100А 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Технические параметры
Корпус | 8-VSON-FET(5x6) | |
Brand | Texas Instruments | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 250 | |
Fall Time | 3 ns | |
Forward Transconductance - Min | 116 S | |
Id - Continuous Drain Current | 100 A | |
Manufacturer | Texas Instruments | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | VSON-8 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 195 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 41 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.6 mOhms | |
Rise Time | 9 ns | |
RoHS | Details | |
Series | CSD18540Q5B | |
Technology | Si | |
Tradename | NextFET | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 6 ns | |
Unit Weight | 0.000847 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.9 V | |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet CSD18540Q5BT
pdf, 462 КБ