FP35R12W2T4BOMA1
![Фото 1/3 FP35R12W2T4BOMA1](https://static.chipdip.ru/lib/129/DOC044129834.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/556/DOC030556165.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/726/DOC017726503.jpg)
57 100 ֏
от 2 шт. —
55 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 57 100 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Channel Type | N |
Collector Current (DC) | 54(A) |
Collector-Emitter Voltage | 1200(V) |
Configuration | Hex |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Screw |
Operating Temperature (Max) | 150C |
Operating Temperature (Min) | -40C |
Operating Temperature Classification | Automotive |
Package Type | EASY2B-2 |
Packaging | Tray |
Pin Count | 23 |
Rad Hardened | No |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 54 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 215 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Panel Mount |
Transistor Configuration | 3 Phase |
Вес, г | 39 |