LBSS123LT1G
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
400 шт. с центрального склада, срок 3 недели
405 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
172 ֏
от 10 шт. —
93 ֏
от 100 шт. —
26 ֏
2 шт.
на сумму 810 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8020347795
Бренд: Leshan Radio Co
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: LBSS123LT1G)
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 170mA |
Manufacturer | Leshan Radio |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 225mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 6Ω @ 100mA, 10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 1mA |
Continuous Drain Current (Id) | 170mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8Ω |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 360 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг