TK12P60W,RVQ, MOSFETs DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1957 шт., срок 7-9 недель
2 730 ֏
1 шт.
на сумму 2 730 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Fall Time: | 5.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11.5 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 340 mOhms |
| Rise Time: | 23 ns |
| Series: | TK12P60W |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | DTMOSIV |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 85 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 45 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.7 V |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 243 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
