IKD15N60RATMA1 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin PG-TO252-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 020 ֏
Кратность заказа 2500 шт.
2500 шт.
на сумму 2 550 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with integrated diode in packages offering space saving advantage.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Package Type | PG-TO252-3 |
| Pin Count | 3 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 30А |
| Power Dissipation | 250Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP RC |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Case | DPAK |
| Collector current | 15A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 90nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | SMD |
| Pulsed collector current | 45A |
| Technology | TRENCHSTOP™ RC |
| Turn-off time | 319ns |
| Turn-on time | 26ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKD15N60RATMA1
pdf, 1808 КБ
