FZT649TC, Транзистор биполярный BJT 100 нА 25 В 2 Вт 50 при 6 А, 2 В 3 А 240 МГц 400 мВ при 3 А, 300 мА NPN -55°C+150°C@(Tj) SOT-223-3
![FZT649TC, Транзистор биполярный BJT 100 нА 25 В 2 Вт 50 при 6 А, 2 В 3 А 240 МГц 400 мВ при 3 А, 300 мА NPN -55°C+150°C@(Tj) SOT-223-3](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166734.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
427 ֏
от 10 шт. —
317 ֏
от 30 шт. —
251 ֏
от 100 шт. —
219 ֏
1 шт.
на сумму 427 ֏
Описание
Trans GP BJT NPN 25V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Configuration | Single Dual Collector |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Material | Si |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.25@100mA@1A |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 35 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.6@200mA@2A|0.3@100mA@1A |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 25 |
Maximum DC Collector Current (A) | 3 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
Minimum DC Current Gain | 15@6A@2V|75@2A@2V|100@1A@2V|70@50mA@2V |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 4 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Power |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-223 |
Tab | Tab |
Type | NPN |
Вес, г | 0.24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 894 КБ