MMDTA06-7, 80V 900mW 100@10mA,1V 500mA 2 NPN SOT-26 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
322 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
220 ֏
от 150 шт. —
203 ֏
от 500 шт. —
177 ֏
5 шт.
на сумму 1 610 ֏
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
Configuration: | Dual |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 163 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-26-6 |
Pd - Power Dissipation: | 1.28 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | MMDTA |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet MMDTA06-7
pdf, 419 КБ