DSS5160V-7, 60V 600mW 150@500mA,5V 1A PNP SOT-563 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
181 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
115 ֏
от 150 шт. —
93 ֏
от 500 шт. —
81 ֏
5 шт.
на сумму 905 ֏
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 340 mV |
| Configuration: | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-563-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 600 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | DSS51 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet DSS5160V-7
pdf, 118 КБ
