SI7489DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 070 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 11 шт. —
890 ֏
от 22 шт. —
830 ֏
от 43 шт. —
790 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 140 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A
Технические параметры
| Корпус | PowerPAKВR SO-8 | |
| Brand: | Vishay Semiconductors | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
| Fall Time: | 100 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 38 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 28 A | |
| Manufacturer: | Vishay | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 | |
| Part # Aliases: | SI7489DP-GE3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 106 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms | |
| Rise Time: | 20 ns, 160 ns | |
| Series: | SI7 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | TrenchFET | |
| Transistor Polarity: | P-Channel | |
| Transistor Type: | 1 P-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns, 110 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns, 42 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | |
| Channel Type | P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Вес, г | 0.5066 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 301 КБ
