IXGH16N170, Транзистор: IGBT, NPT, 1,7кВ, 16А, 190Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 900 ֏
от 10 шт. —
8 000 ֏
от 30 шт. —
7 200 ֏
1 шт.
на сумму 9 900 ֏
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IXGH16N170 от производителя IXYS - высокомощный компонент для современной электроники. С монтажным исполнением THT, он отличается током коллектора до 16 А и способен выдерживать напряжение коллектор-эмиттер до 1700 В, что позволяет использовать его в промышленных и энергетических применениях. Мощность устройства составляет 190 Вт, что обеспечивает надежную работу в условиях высоких нагрузок. Тип IGBT гарантирует эффективное управление мощностью, а корпус TO247AD обеспечивает хороший теплоотвод. Приобретая IXGH16N170, вы получаете качественный и долговечный компонент для вашей техники. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 16 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 1700 |
Мощность, Вт | 190 |
Корпус | TO247AD |
Технические параметры
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Длина | 16.26мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | IXYS |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1700 В |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 32 A |
Тип корпуса | TO-247AD |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 5.3мм |
Высота | 21.46мм |
Число контактов | 3 |
Размеры | 16.26 x 5.3 x 21.46мм |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
Тип канала | N |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
Maximum Continuous Collector Current | 32 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247AD |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 8.31 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXGH16N170
pdf, 153 КБ