SIR426DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A

Фото 1/4 SIR426DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
383 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 19 шт.329 ֏
от 37 шт.316 ֏
от 73 шт.303 ֏
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 298 ֏
Номенклатурный номер: 8020629489

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A

Технические параметры

Корпус PowerPAKВR SO-8
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0085Ом
Power Dissipation 41.7Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 30А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 1.2В
Рассеиваемая Мощность 41.7Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0085Ом
Стиль Корпуса Транзистора SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand: Vishay Semiconductors
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Id - Continuous Drain Current: 30 A
Manufacturer: Vishay
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: PowerPAK-SO-8
Part # Aliases: SIR426DP-GE3
Pd - Power Dissipation: 41.7 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 31 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 10.5 mOhms
Series: SIR
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: TrenchFET, PowerPAK
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V
Вес, г 0.229

Техническая документация

Datasheet
pdf, 308 КБ