SIR426DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A
![Фото 1/4 SIR426DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A](https://static.chipdip.ru/lib/592/DOC044592195.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/707/DOC001707488.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/250/DOC021250527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/764/DOC017764646.jpg)
383 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 19 шт. —
329 ֏
от 37 шт. —
316 ֏
от 73 шт. —
303 ֏
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 298 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A
Технические параметры
Корпус | PowerPAKВR SO-8 | |
Channel Type | N Channel | |
Drain Source On State Resistance | 0.0085Ом | |
Power Dissipation | 41.7Вт | |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
Монтаж транзистора | Surface Mount | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В | |
Непрерывный Ток Стока | 30А | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В | |
Рассеиваемая Мощность | 41.7Вт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0085Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
Brand: | Vishay Semiconductors | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
Id - Continuous Drain Current: | 30 A | |
Manufacturer: | Vishay | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | PowerPAK-SO-8 | |
Part # Aliases: | SIR426DP-GE3 | |
Pd - Power Dissipation: | 41.7 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 31 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.5 mOhms | |
Series: | SIR | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | TrenchFET, PowerPAK | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V | |
Вес, г | 0.229 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 308 КБ