IKW30N60DTPXKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт
![Фото 1/3 IKW30N60DTPXKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880027.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC021413694.jpg)
3 700 ֏
от 4 шт. —
3 350 ֏
от 7 шт. —
3 120 ֏
от 13 шт. —
3 010 ֏
1 шт.
на сумму 3 700 ֏
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт
Технические параметры
Корпус | PG-TO247-3-46 | |
Channel Type | N | |
Energy Rating | 1.13mJ | |
Gate Capacitance | 1050pF | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
Maximum Continuous Collector Current | 53 A | |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 200 W | |
Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Transistors | 1 | |
Package Type | TO-247 | |
Pin Count | 3 | |
Switching Speed | 30kHz | |
Transistor Configuration | Single | |
Вес, г | 8.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW30N60DTPXKSA1
pdf, 1541 КБ