FMMT593TA, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
115 ֏
Мин. кол-во для заказа 18 шт.
от 84 шт. —
93 ֏
от 167 шт. —
84 ֏
от 333 шт. —
80 ֏
18 шт.
на сумму 2 070 ֏
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А
Технические параметры
| Корпус | SOT23-3 | |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V | |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
| Максимальная рабочая частота | 50 MHz | |
| Количество элементов на ИС | 1 | |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,1 В | |
| Длина | 3мм | |
| Transistor Configuration | Одинарный | |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 120 V | |
| Производитель | DiodesZetex | |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 100 В | |
| Тип корпуса | SOT-23 | |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт | |
| Тип монтажа | Surface Mount | |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
| Ширина | 1.4мм | |
| Максимальный пост. ток коллектора | 1 A | |
| Тип транзистора | PNP | |
| Высота | 1.1мм | |
| Число контактов | 3 | |
| Размеры | 1.1 x 3 x 1.4мм | |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В | |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 50 | |
| Brand | Diodes Incorporated | |
| Collector- Base Voltage VCBO | -120 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -100 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -300 mV | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current | -1 A | |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V | |
| Factory Pack Quantity | 3000 | |
| Gain Bandwidth Product FT | 50 MHz | |
| Manufacturer | Diodes Incorporated | |
| Maximum DC Collector Current | 1 A | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Package / Case | SOT-23-3 | |
| Packaging | Cut Tape or Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW | |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors | |
| Series | FMMT593 | |
| Subcategory | Transistors | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Height | 1.1 mm | |
| Length | 3 mm | |
| RoHS | Details | |
| Width | 1.4 mm | |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 50 MHz | |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW | |
| Minimum DC Current Gain | 100 | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Type | PNP | |
| Вес, г | 2 |
