IXFN48N50, Модуль, одиночный транзистор, Uds 500В, Id 48А, SOT227B, 520Вт
![IXFN48N50, Модуль, одиночный транзистор, Uds 500В, Id 48А, SOT227B, 520Вт](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC006307508.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 20 500 ֏
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
Fall Time: | 30 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 48 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Screw Mounts |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-227-4 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 520 W |
Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
Product: | Power MOSFET Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
Rise Time: | 60 ns |
Series: | HiPerFET |
Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
Technology: | Si |
Tradename: | HyperFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | HiperFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Вес, г | 38.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 161 КБ