IXTQ34N65X2M, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 34А, Idm: 48А, 40Вт, TO3PF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 600 ֏
от 3 шт. —
9 200 ֏
от 10 шт. —
7 400 ֏
от 30 шт. —
6 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 600 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 34А, Idm: 48А, 40Вт, TO3PF
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Fall Time: | 30 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 34 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-3PFP |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 43 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 96 mOhms |
| Rise Time: | 48 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | HiPerFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 68 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Вес, г | 5.59 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 585 КБ
