CSD16406Q3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A
![Фото 1/2 CSD16406Q3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A](https://static.chipdip.ru/lib/468/DOC004468538.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/040/DOC025040342.jpg)
330 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 21 шт. —
282 ֏
от 42 шт. —
269 ֏
от 83 шт. —
260 ֏
6 шт.
на сумму 1 980 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A
Технические параметры
Корпус | SON-8 | |
Brand: | Texas Instruments | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
Fall Time: | 4.8 ns | |
Id - Continuous Drain Current: | 60 A | |
Manufacturer: | Texas Instruments | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | VSON-CLIP-8 | |
Pd - Power Dissipation: | 46 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 5.8 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.3 mOhms | |
Rise Time: | 12.9 ns | |
Series: | CSD16406Q3 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | NexFET | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 8.5 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 7.3 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +16 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V | |
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet CSD16406Q3
pdf, 409 КБ