CSD19532Q5BT, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A
![Фото 1/2 CSD19532Q5BT, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A](https://static.chipdip.ru/lib/973/DOC029973754.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/219/DOC027219471.jpg)
620 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 19 шт. —
530 ֏
от 37 шт. —
476 ֏
от 74 шт. —
454 ֏
4 шт.
на сумму 2 480 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A
Технические параметры
Корпус | 8-VSON-FET(5x6) | |
Brand: | Texas Instruments | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
Fall Time: | 6 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 84 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 140 A | |
Manufacturer: | Texas Instruments | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | VSON-CLIP-8 | |
Pd - Power Dissipation: | 195 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 48 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.9 mOhms | |
Rise Time: | 6 ns | |
Series: | CSD19532Q5B | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | NexFET | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V | |
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id | |
Вес, г | 0.345 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 901 КБ