SKM200GB12T4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
112 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 112 000 ֏
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор БТИЗ SKM200GB12T4 от SEMIKRON – это мощный IGBT модуль, монтируемый винтами, что обеспечивает надежное соединение в различных электронных применениях. Способен выдерживать ток коллектора до 241 А, что делает его отличным выбором для систем с высокими требованиями к электропитанию. Корпус SEMITRANS3 гарантирует долговечность и стабильность работы устройства даже в условиях интенсивного использования. Используйте SKM200GB12T4 для повышения эффективности и надежности ваших электронных схем. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | винтами |
| Ток коллектора, А | 241 |
| Корпус | SEMITRANS3 |
Технические параметры
| Корпус | SEMITRANS3 | |
| Версия | D56 | |
| Импульсный ток | 600А | |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор | |
| Монтаж | винтами | |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В | |
| Обратное напряжение макс. | 1.2кВ | |
| Производитель | SEMIKRON | |
| Рабочая температура | -40…125°C | |
| Тип модуля | IGBT | |
| Ток коллектора | 241А | |
| Топология | полумост IGBT | |
| Электрический монтаж | винтами | |
| Вес, г | 322.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 388 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 22 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
